| 专利名称 | 一种铁基化合物超导体的制备方法 | 申请号 | CN200810224178.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101386529 | 公开（授权）日 | 2009.03.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 齐彦鹏;高召顺;王雷;王栋樑;张现平;马衍伟 | 主分类号 | C04B35/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/00(2006.01)I;H01B12/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种铁基化合物超导体的制备方法 至一种铁基化合物超导体的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种铁基化合物超导体的制备方法，包括以下步骤： (1)将按照ReMPnO1-xFx或ReM1-xTmxPnO或Ae1-xAxM2Pn2中的一种化学式配制的原 料粉末混合均匀后，装入金属管，充分夯实，然后封闭金属管的两端； (2)将金属管按照5％-20％的道次变形量进行旋锻、拉拔、轧制加工； (3)将经步骤2加工所得的金属管置于高温加热炉中，于室温下抽真空至10-2-10-5帕， 之后充入氩气，然后在700-1500℃的温度下保温5-100小时，最后待高温炉冷却至室温，剥 开金属包套得到铁基化合物新型超导体。与目前通常的石英玻璃两步制备方法相比，本方法 可以有效的避免炸裂，安全可靠，烧结过程一步完成，工艺简单且生产效率高，制备的铁基 化合物密度较高并且具有良好的超导性能。 |
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