| 专利名称 | 一种接收有源区位于斜面上的光电探测器的制造方法 | 申请号 | CN200710121369.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101383388 | 公开（授权）日 | 2009.03.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 申华军;李志华;杨成樾;万里兮;李宝霞 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种接收有源区位于斜面上的光电探测器的制造方法 至一种接收有源区位于斜面上的光电探测器的制造方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及光电探测器技术领域，公开了一种接收有源区位于斜面上 的光电探测器的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上湿法腐蚀出深槽 斜面，形成高台阶图形衬底；在形成的高台阶图形衬底上进行探测器材料 结构的外延生长；在完成外延生长的高台阶图形衬底上进行微电子工艺制 造，形成接收有源区位于斜面上的光电探测器。利用本发明，可提高光电 探测器的性能，降低成本，实现低成本、高效率、简便的平面光互联。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障