| 专利名称 | 一种利用稀磁半导体测量多量子阱耦合的方法 | 申请号 | CN200710045700.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101383305 | 公开（授权）日 | 2009.03.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 郭旭光;曹俊诚 | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 专利有效期 | 一种利用稀磁半导体测量多量子阱耦合的方法 至一种利用稀磁半导体测量多量子阱耦合的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种利用稀磁半导体测量多量子阱耦合的方法，其特征在于 利用稀磁半导体中的巨塞曼分裂，用平行于生长方向的磁场调控阱深或垒 高，对耦合多量子阱进行测量。并以Zn0.8Cd0.2/ZnSe对称耦合三量子阱为例， 在理论上对实验方案的有效性进行了验证。利用本发明提供的方法，有效地 降低了样品制备的要求和工作量，提高了实验精度。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障