| 专利名称 | 一种ZnO背栅纳米线场效应管的制备方法 | 申请号 | CN200810223353.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101383291 | 公开（授权）日 | 2009.03.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 付晓君;张海英;徐静波;黎明 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种ZnO背栅纳米线场效应管的制备方法 至一种ZnO背栅纳米线场效应管的制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及化合物半导体器件技术领域，具体涉及一种背栅ZnO纳米线场 效应管的制备方法。本发明采用ZnO纳米线作为场效应晶体管沟道，采用凹槽 和十字两种方法实现纳米线到器件衬底的沉积和定位，采用Ti/Au与ZnO沟道形 成欧姆接触，常规Liff-off的方法溅射形成Al2O3栅氧，利用P++型Si衬底作为场效 应管背栅。本发明具有成效明显，工艺简单易行，经济适用和可靠性强的优点， 容易在微波、毫米波化合物半导体器件及传感器的制作中采用和推广。 |
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