| 专利名称 | 一种制备单电子晶体管的方法 | 申请号 | CN200710121366.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101383285 | 公开（授权）日 | 2009.03.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王琴;李维龙;贾锐;刘明;叶甜春 | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/335(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备单电子晶体管的方法 至一种制备单电子晶体管的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及纳米电子器件及纳米加工技术领域，公开了一种利用 Undercut技术制备单电子晶体管的方法，在SOI衬底上利用电子束曝光双 层胶工艺以及Undercut技术制备单电子晶体管。其主要工艺步骤如下：离 子注入及快速退火；双层胶电子束光刻，形成单电子晶体管图形；蒸发金 属，剥离干法刻蚀，将图形转移至SOI的顶层硅上，减小隧道结尺寸；光 刻；蒸发金属，剥离，合金；采用这种方法制备的基于SOI衬底的单电子 晶体管具有工艺难度低，可实行性高，易于大规模集成的优点，并简化了 制作工艺，解决了在电子束曝光过程中由于邻近效应影响无法实现小尺寸 隧道结的问题。 |
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