| 专利名称 | 一种电子束对准标记的制作方法 | 申请号 | CN200710121502.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101383268 | 公开（授权）日 | 2009.03.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李诚瞻;黄俊;郑英奎;刘果果;和致经;魏珂;刘新宇 | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种电子束对准标记的制作方法 至一种电子束对准标记的制作方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及宽禁带半导体材料器件制作技术领域，公开了一种电子束 对准标记的制作方法，包括：A.对衬底材料进行光刻，同时形成电子束 对准标记和源漏极图形，并蒸发源漏极金属；B.对衬底材料进行光刻， 在电子束对准标记周围形成方形标记区域；C.对衬底材料进行表面刻蚀； D.腐蚀电子束对准标记处的掩膜金属，形成电子束对准标记。本发明同 时公开了一种利用电子束对准标记制作有效栅线条的方法。利用本发明， 有效避免了高温退火中容易发生形貌变化的金属对准标记，利用衬底材料 的高度差作为对准标记；同时解决了多步光刻形成电子束标记图形和源漏 图形引入的机械误差和人为误差，避免了电子束光刻过程中出现的对准偏 差。 |
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