| 专利名称 | 一种纳米尺度图形的制作方法 | 申请号 | CN200810223398.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101382733 | 公开（授权）日 | 2009.03.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵珉;陈宝钦;刘明;牛洁斌 | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;G03F7/004(2006.01)I | 专利有效期 | 一种纳米尺度图形的制作方法 至一种纳米尺度图形的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明是关于一种纳米尺度图形的制作方法，该方法包括以下步骤：A. 对待处理的衬底进行表面清洁及热处理；B.在衬底表面上涂敷电子束光刻 抗蚀剂层，并进行曝光前的预处理；C.对上述的电子束光刻抗蚀剂层按照 预设的图形在单线直写曝光模式下进行电子束直写曝光；D.对曝光后的电 子束光刻抗蚀剂进行显影、定影及干燥。本发明通过电子束直写单线曝光 模式在抗蚀剂层中形成纳米尺度图形结构，并可以通过后继相应的图形转 移工艺实现纳米尺度结构的制作。单线曝光模式避免了通常使用的面曝光 方式中曝光点均匀分布对图形分辨率的限制，实现了在平面上两个维度上 对曝光点分布的灵活调控，可以达到电子束直写曝光的极限分辨率。 |
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