| 专利名称 | 一种制备MgZnO单晶薄膜的方法 | 申请号 | CN200810224529.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101381891 | 公开（授权）日 | 2009.03.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 刘章龙;杜小龙;梅增霞;张天冲;郭阳 | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I;H01L31/0336(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备MgZnO单晶薄膜的方法 至一种制备MgZnO单晶薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备MgZnO单晶薄膜的方法，本方法中利用中 等Mg组分MgZnO缓冲层，有效地驰豫了强离子性Mg-O键带来的晶格畸 变所产生的影响，从而有利于后续高Mg组分MgZnO薄膜的生长。利用 该方法，能够精确地控制MgZnO合金薄膜中Mg组分，克服了MgZnO合 金薄膜生长中极易出现相分离的难题，从而可以获得宽禁带，结构匹 配的高质量合金薄膜，而且该制备方法具备很好的可重复性和可控性， 可在制备性能优越的MgZnO基光电子和微电子器件中得到应用。 |
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