| 专利名称 | 单晶硼纳米锥、其制备方法以及在电学和场发射器件中的应用 | 申请号 | CN200710121358.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101381887 | 公开（授权）日 | 2009.03.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 高鸿钧;王兴军;申承民;田继发;惠超 | 主分类号 | C30B29/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/02(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I | 专利有效期 | 单晶硼纳米锥、其制备方法以及在电学和场发射器件中的应用 至单晶硼纳米锥、其制备方法以及在电学和场发射器件中的应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种单晶硼纳米锥，其由纯硼组成，具有单晶结构。本 发明还提供一种制备硼纳米锥的方法，该方法以硼化物和硼粉的混合物 作为源材料，Fe3O4催化剂纳米粒子与微量硼粉的混合物作为共催化剂， 利用化学气相沉积CVD法合成硼纳米锥。通过本发明的方法制备的硼纳 米锥具有良好的电学性质和场发射性能。 |
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