| 专利名称 | 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 | 申请号 | CN200710120612.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101373714 | 公开（授权）日 | 2009.02.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 闫发旺;高海永;樊中朝;李晋闽;曾一平;王国宏;张会肖;王军喜;张扬 | 主分类号 | H01L21/308(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/308(2006.01)I | 专利有效期 | 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 至用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种用于氮化物外延生长的纳米 级图形衬底的制作方法，包括：在用于氮化物外延生长的衬底上淀积一层 二氧化硅或氮化硅膜；在所述二氧化硅或氮化硅膜上蒸镀一层金属薄层； 退火热处理，在表面形成均匀分布的纳米尺度的金属颗粒；利用形成的纳 米尺度的金属颗粒作为掩膜，刻蚀所述二氧化硅或氮化硅膜，形成纳米图 形结构；以所述具有纳米图形结构的二氧化硅或氮化硅膜为掩膜刻蚀衬 底，将纳米图形结构转移到衬底上；腐蚀去掉所述二氧化硅或氮化硅膜， 清洗衬底，得到纳米级图形衬底。利用本发明，能降低氮化物外延层中的 位错密度，提高外延材料的晶体质量，改善器件的性能，并有利于实现规 模化和大面积制作。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障