| 专利名称 | 磁性氧化硅球及其合成方法 | 申请号 | CN200910212916.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101789297A | 公开（授权）日 | 2010.07.28 | 申请（专利权）人 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 陈名海;李清文;陈同来 | 主分类号 | H01F1/01(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F1/01(2006.01)I;C01B33/12(2006.01)I | 专利有效期 | 磁性氧化硅球及其合成方法 至磁性氧化硅球及其合成方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种磁性氧化硅球及其合成方法，该磁性氧化硅球为三层核壳结构，自内而外包括氧化硅球、磁性纳米颗粒、氧化硅壳层；磁性氧化硅球尺寸的调控范围介于50nm～5μm。其合成方法是：将预制的带正电的磁性纳米颗粒酸化，并依次加入体积比为40∶8∶1的蒸馏水、预制的氧化硅球乙醇悬浮液、氨水及足量的正硅酸乙酯室温搅拌，经产物过滤、收集并真空干燥获得磁性氧化硅球。本发明技术方案应用实施后，能够实现一步合成磁性氧化硅球，且具有产物尺寸可控性好，产率高的优点；外层氧化硅不仅作为保护层，通过简单的硅烷修饰和功能化，能够赋予磁性氧化硅球更广泛的功能性，是一种磁性多功能平台。 |
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