| 专利名称 | 硫系化合物相变材料氧化铈化学机械抛光液 | 申请号 | CN200810201175.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101372606 | 公开（授权）日 | 2009.02.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王良咏;宋志棠;刘波;封松林 | 主分类号 | C09G1/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C09G1/02(2006.01)I | 专利有效期 | 硫系化合物相变材料氧化铈化学机械抛光液 至硫系化合物相变材料氧化铈化学机械抛光液 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种硫系化合物相变材料氧化铈化学机械抛光液，其以抛光液总重量为基准， 包含0.01-5wt％的氧化剂、0.01-4wt％的表面活性剂、0.01-3wt％的有机添加剂、0.2-30wt％的 氧化铈抛光颗粒及pH调节剂、水性介质。此抛光液主要应用于硫系化合物相变材料 GexSbyTe(1-x-y)的CMP工艺。通过本发明提供的氧化铈化学机械抛光液，相变材料GexSbyTe(1-x-y) 的抛光速率可控制在5nm/min到1500nm/min，同时表面粗糙度降低到了7.4 以下。利用上述 抛光液对相变材料GexSbyTe(1-x-y)速率可控、表面低损伤并且无残留的抛光，可满足制备纳电 子相变存储器中CMP工艺的需要。 |
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