| 专利名称 | 一种化学机械抛光用磨料及其制备方法 | 申请号 | CN200810201230.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101372560 | 公开（授权）日 | 2009.02.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 汪海波;刘卫丽;宋志棠;封松林 | 主分类号 | C09C1/68(2006.01)I | IPC主分类号 | C09C1/68(2006.01)I;C09C3/06(2006.01)I;C09G1/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种化学机械抛光用磨料及其制备方法 至一种化学机械抛光用磨料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种化学机械抛光用磨料及其制备方法，用于化学机械抛光领域。将纳米 级的SiO2磨料稀释成浓度10％(质量分数)以下，作为生长的基体。用铝盐在80-90℃下加入 水解，然后加入酸在90-100℃陈化，制得酸性AlOOH溶液。将水玻璃稀释到10％以下，通过 强阳离子交换树脂，制得活性硅酸。最后按照粒子生长法将制得的AlOOH溶液和硅酸滴入到 硅溶胶中，加入一定量碱，控制pH值在8-11之间，恒温加热并剧烈搅拌，陈化2小时。硅 基上生长的铝硅复合物中，硅铝的原子比例可以按照AlOOH和活性硅酸的比例控制。制得的 磨料能够扩展磨料存在的pH值范围；提高化学机械抛光的应用范围；能够改善表面化学性质。 |
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