产生磁场的装置及对低温探针台外加磁场的方法

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专利名称 产生磁场的装置及对低温探针台外加磁场的方法 申请号 CN200910077525.4 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN101783223A 公开(授权)日 2010.07.21 申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 余兆安;贾锐;龙世兵;刘明;陈晨 主分类号 H01F7/02(2006.01)I IPC主分类号 H01F7/02(2006.01)I;G01R33/00(2006.01)I 专利有效期 产生磁场的装置及对低温探针台外加磁场的方法 至产生磁场的装置及对低温探针台外加磁场的方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明公开了一种产生磁场的装置,放置于低温探针台的真空腔室内,为待测器件提供磁场,该装置利用低温探针台的样品托盘上两个对称的固定螺孔,安装两根平行且垂直放置的螺栓,将两根永磁铁分别套在螺栓上,并用螺冒来固定永磁铁的高度;在两根永磁铁之间,竖立一块用于粘贴待测样品的挡板,并在挡板上设置电极,使其与探针臂的探针相连接。本发明还公开了一种对低温探针台外加磁场的方法,在低温探针台样品托盘的固定螺孔上,竖立两根平行且垂直放置的螺栓,将两根永磁铁分别套在螺栓上,并用螺冒来固定永磁铁的高度。利用本发明,扩充了原有低温探针台的使用范围,能研究新型磁性材料及磁场对电子输运性质的影响。

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