| 专利名称 | 相变存储器 | 申请号 | CN200910200724.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101783172A | 公开（授权）日 | 2010.07.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 丁晟;宋志棠 | 主分类号 | G11C11/56(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/56(2006.01)I | 专利有效期 | 相变存储器 至相变存储器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种相变存储器，所述相变存储器包括数条存储翼plane；所述plane包括n个存储块block和n个先入先出堆栈FIFO，每个block对应一个FIFO；其中，n为相变存储器并行读写位数；plane与plane之间依靠数据总线、地址总线和控制总线连接；所述block包括存储阵列、行列译码器及驱动电路。本发明提出的相变存储器，可提高相变存储器写入速度。由于每一位独立地从FIFO中取得数据，所以每一位在进行RESET或SET操作时，不会如传统并行写入方式那样受其他位是否进行SET影响，由此减少了RESET操作之后的等待时间。 |
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