| 专利名称 | 相变存储器的猝发写方法 | 申请号 | CN200910200723.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101783171A | 公开（授权）日 | 2010.07.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 丁晟;宋志棠 | 主分类号 | G11C11/56(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/56(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I | 专利有效期 | 相变存储器的猝发写方法 至相变存储器的猝发写方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种相变存储器的猝发写方法，所述方法包括如下步骤：并行写的每一位配备有一个独立的先入先出堆栈FIFO；相变存储器外部总线以设定的频率将写入数据输入到并行写每一位对应的FIFO中；并行写的每一位从对应的FIFO中读出要写入的数据，并进行写入操作；并行写的每一位完成当前写操作以后立刻从对应的FIFO中读出下一个要进行的写入数据。如果在写入过程中，并行写的任何一位对应的FIFO处于将要满状态，那么相变存储器发出信号通知外部总线控制器，要求总线控制器以SET所需的频率发送数据；直到并行写的每一位对应的FIFO都不处于将要满状态。本发明可减少了RESET操作之后的等待时间，提高相变存储器写入速度。 |
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