| 专利名称 | 驱动电阻转变型存储器实现多值存储的电路及方法 | 申请号 | CN200910077526.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101783170A | 公开（授权）日 | 2010.07.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘明;张森;龙世兵;刘琦 | 主分类号 | G11C11/56(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/56(2006.01)I | 专利有效期 | 驱动电阻转变型存储器实现多值存储的电路及方法 至驱动电阻转变型存储器实现多值存储的电路及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种利用电容驱动电阻转变型存储器实现多值存储的电路及方法。该电路由多个用以存储电能且具有不同容值的电容、多个电压源、一电阻转变型存储器和一开关转换电路构成，所述多个电容通过开关转换电路连接于所述多个电压源和所述电阻转变型存储器。该方法将不同容值的电容充电到相同的电压，或将相同电容充电到不同电压，使电容存储有不同的电能；然后利用该存储有不同电能的电容作为信号激励源驱动电阻转变型存储器，改变电阻转变型存储器的电阻状态，使电阻转变型存储器达到不同的电阻状态，实现多值存储。利用本发明，采用简单的电路驱动电阻转变型存储器实现多值存储，在相同的器件面积情况下实现更高密度的存储。 |
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