| 专利名称 | 免封装压电驱动式微小型电场传感器 | 申请号 | CN200710120281.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101368988 | 公开（授权）日 | 2009.02.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 夏善红;叶超 | 主分类号 | G01R29/12(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R29/12(2006.01)I | 专利有效期 | 免封装压电驱动式微小型电场传感器 至免封装压电驱动式微小型电场传感器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出一种免封装压电驱动式微小型电场传感器，该传感器主 要由压电驱动元件和感应导体构成，与传统机加工的电场传感器相比， 它具有结构简单、成本低、功耗低的优点。与基于微机电技术(MEMS) 的微型电场传感器相比，它具有敏感结构免封装，可靠性高的优点。 |
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