| 专利名称 | 一种非极性GaN薄膜及其生长方法 | 申请号 | CN200810200458.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101364631 | 公开（授权）日 | 2009.02.11 | 申请（专利权）人 | 上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司;中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 周健华;郝茂盛;颜建锋;潘尧波;周圣明 | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01S5/30(2006.01)I | 专利有效期 | 一种非极性GaN薄膜及其生长方法 至一种非极性GaN薄膜及其生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种非极性GaN薄膜及其生长方法，在金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统中， 在铝酸锂(LiAlO2)衬底上，在N2保护下，升温到800-900℃，生长低温保护层，低温保护 层反应室压力为150-500torr，三甲基镓(TMGa)流量为1-50sccm，对应于摩尔流量： 4E-6mole/min-3E-4mole/min，然后降低压力至100-300torr，升温到1000-1100℃继续生长 非掺杂氮化镓(U-GaN)层，TMGa流量为10-200sccm，对应于摩尔流量：4E-5mol/min- 1E-3mole/min，然后再升温到1150-1200℃，生长高温U-GaN约100nm，然后再降温到 1000-1100℃生长U-GaN。通过生长低温保护层，保护铝酸锂衬底不被高温破坏，短暂的高温 U-GaN的目的是改善生长的GaN薄膜的表面平整度。 |
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