| 专利名称 | 一种纳米级相变存储单元阵列制备方法 | 申请号 | CN200710044609.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101364567 | 公开（授权）日 | 2009.02.11 | 申请（专利权）人 | 上海市纳米科技与产业发展促进中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 刘彦伯;钮晓鸣;宋志棠;闵国全;周伟民;李小丽;刘波;万永中;封松林 | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 专利有效期 | 一种纳米级相变存储单元阵列制备方法 至一种纳米级相变存储单元阵列制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种纳米级相变存储单元阵列制备方法，属于微纳电子技术领域。其特征在于一次性制作 出“倒塔”型纳米级相变存储单元多阶凹孔阵列，塔尖为纳米级，然后在“倒塔”内分别填充特定的相 变材料、过渡材料和电极材料，从而获得纳米级相变存储单元阵列。本发明提出的纳米级相变存储单元阵 列制备方法能有效减小相变材料与电极材料的接触面积，工艺简捷、只需要一次曝光刻蚀，即巧妙地代替 了目前相变存储单元加工中常用的两次曝光套刻工艺。这种方法既简化了纳米级多层单元结构制备工艺， 又解决了纳米级相变存储单元多层结构的套刻问题，加工精度高、成本低，适于产业化，在低功耗、高密 度相变存储器制备领域具有实质性特点。 |
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