| 专利名称 | 一种制备晶硅太阳电池局域背接触的方法 | 申请号 | CN200810119967.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101359702 | 公开（授权）日 | 2009.02.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 赵雷;王文静 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备晶硅太阳电池局域背接触的方法 至一种制备晶硅太阳电池局域背接触的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种制备晶硅太阳电池局域背接触的方法，步骤如下：在晶硅衬底(1)背面淀积 铝层(2)，利用阳极氧化将铝层(2)制成阳极氧化铝孔阵列(3)，生成的阳极氧化 铝孔要贯穿整个铝层，之后在阳极氧化铝孔阵列(3)上淀积背接触电极(4)，并进行 退火，使背接触电极(4)通过阳极氧化铝孔与晶硅衬底(1)形成欧姆接触。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障