| 专利名称 | 绝缘体上锗硅衬底的制备方法 | 申请号 | CN200810200072.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101359591 | 公开（授权）日 | 2009.02.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张苗;张波;王曦 | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 专利有效期 | 绝缘体上锗硅衬底的制备方法 至绝缘体上锗硅衬底的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种绝缘体上锗硅衬底的制备方法，包括如下步骤：(a)提供单晶硅衬底； (b)在单晶硅衬底表面生长锗硅层；(c)将起泡离子注入单晶硅衬底中；(d)退火， 从而形成气孔层；(e)将氧离子注入至气孔层中；(f)退火，从而形成绝缘埋层。 本发明的优点在于，采用起泡离子注入单晶硅衬底中，通过退火在单晶硅衬底 与锗硅层之间形成气孔层，并将氧离子注入至气孔层中，退火后在气孔层的位 置形成绝缘埋层。由于绝缘埋层均形成于单晶硅衬底而非锗硅层中，因此可以 对锗的排出现象起到抑制的作用，并且所述的气孔层可以有效地束缚氧原子， 有利于绝缘埋层的形成。 |
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