| 专利名称 | 高速写入相变存储器及其高速写入方法 | 申请号 | CN200810041415.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101359504 | 公开（授权）日 | 2009.02.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 富聪;宋志棠;蔡道林;封松林 | 主分类号 | G11C11/56(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/56(2006.01)I;G11C16/08(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I | 专利有效期 | 高速写入相变存储器及其高速写入方法 至高速写入相变存储器及其高速写入方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种高速写入相变存储器及其高速写入方法，其包括至少两个相互独立的地 址寄存器、数据寄存器、SET驱动电路、列选通器、相变电阻存储阵列、行地址译码器及列 地址译码器，可同时对多组对应于不同地址下的相变存储单元进行写入操作，使得数据写入 周期小于传统相变存储单元的写入周期，从而提高相变存储器的写入速度。 |
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