| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201010239273.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102339852A | 公开（授权）日 | 2012.02.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;梁擎擎;尹海洲;骆志炯 | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。其中该半导体器件包括：半导体衬底；应力层，嵌入于所述半导体衬底中；沟道区，位于所述应力层上；栅堆叠，位于所述沟道区上；源/漏区，位于所述沟道区的两侧且嵌入所述半导体衬底中；其中，应力层的表面包括顶壁、底壁和侧壁，所述侧壁由第一侧壁和第二侧壁构成，第一侧壁连接顶壁与第二侧壁，第二侧壁连接第一侧壁与底壁，第一侧壁和第二侧壁之间的夹角小于180°，并且第一侧壁和第二侧壁关于平行于所述半导体衬底的平面对称。本发明的实施例适用于半导体器件制造中的应力工程技术。 |
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