| 专利名称 | 一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法 | 申请号 | CN201010227180.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102315123A | 公开（授权）日 | 2012.01.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 黄俊;魏珂;刘新宇;刘果果;樊捷 | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法 至一种提高GaN HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种提高GaN?HEMT栅槽刻蚀可重复性的方法，该方法包括：增大ICP托盘内径尺寸；提高ICP托盘高度；以及将待刻蚀的GaN外延片粘附于载片之上再进行栅槽刻蚀。本发明通过增大ICP等离子体刻蚀机反应腔体内的等离子体分布体积，降低等离子体密度，缩短等离子体加速距离，达到消除GaN外延片厚度对栅槽刻蚀的影响，降低GaNHEMT栅槽刻蚀过程中的等离子体轰击损伤，提高器件直流和高频特性。 |
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