| 专利名称 | 三维电阻转换存储芯片制备方法 | 申请号 | CN201010579606.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102122636A | 公开（授权）日 | 2011.07.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 刘旭焱;张挺;刘卫丽;宋志棠;杜小峰;顾怡峰;成岩 | 主分类号 | H01L21/822(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/822(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 三维电阻转换存储芯片制备方法 至三维电阻转换存储芯片制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种三维电阻转换存储芯片制备方法。该方法利用电阻转换材料与含有电极阵列的绝缘介质层的直接键合以及改进型智能剥离技术突破了存储单元三维堆叠的温度难题。该方法中采用低温等离子体活化键合技术将包含电极阵列的第一半导体晶圆与包含电阻转换材料和选通管层材料的第二半导体晶圆进行键合；利用不高于400℃低温退火增强键合强度，同时实现低温电阻转换材料转移，即将具有电阻转换材料和选通管层材料的薄膜转移到第一半导体晶圆上，随后在第一半导体晶圆结构上通过半导体工艺，制备存储和选通单元。 |
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