| 专利名称 | 带有绝缘埋层的衬底的制备方法 | 申请号 | CN200810038335.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101355024 | 公开（授权）日 | 2009.01.28 | 申请（专利权）人 | 上海新傲科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张苗;张波 | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 专利有效期 | 带有绝缘埋层的衬底的制备方法 至带有绝缘埋层的衬底的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种带有绝缘埋层的衬底的制备方法，包括如下步骤：提供第一衬底，所 述第一衬底表面具有第一晶体层；在第一晶体层表面生长第二晶体层；提供第 二衬底，所述第二衬底表面具有绝缘层；以第二晶体层远离第一衬底的表面和 绝缘层远离第二衬底的表面作为键合表面进行键合；除去第一衬底和第一晶体 层。本发明的优点在于，采用表面生长的方法形成绝缘埋层以及表面的晶体层， 因此可以在较大的范围内调整绝缘埋层以及绝缘埋层表面的晶体层的厚度，且 晶体层的表面是借由用于生长该晶体层的表面转变而形成的，因此具有良好的 平整度。 |
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