| 专利名称 | 掺杂金属的染料敏化TiO2纳晶薄膜光电极的制备方法 | 申请号 | CN200810222243.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101354971 | 公开（授权）日 | 2009.01.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 檀伟伟;张敬波;方艳艳;刘佳;林原 | 主分类号 | H01G9/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01G9/20(2006.01)I;H01G9/042(2006.01)I;H01G9/048(2006.01)I;H01M14/00(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I | 专利有效期 | 掺杂金属的染料敏化TiO2纳晶薄膜光电极的制备方法 至掺杂金属的染料敏化TiO2纳晶薄膜光电极的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于染料敏化太阳能电池的TiO2纳晶薄膜光电极的制造技术领 域，特别涉及掺杂金属的染料敏化TiO2纳晶薄膜光电极的制备方法。本发明 的薄膜光电极是由混有掺杂金属的TiO2纳晶颗粒和具有光散射性能的大颗粒 TiO2的胶体在导电基底上涂敷并进行热处理后形成的多孔结构纳晶薄膜光电 极。一方面，金属掺杂后，不但增加了载流子的数量从而明显提高了导电率， 而且可以改变TiO2能带的位置进而提高光电压，另一方面，大颗粒TiO2的引 进增强了光散射和氧化还原离子的扩散，进而一定程度上改善了TiO2纳晶薄 膜光电极的吸光效率。本发明制备方法简单，易于操作，特别适用于染料敏 化TiO2纳晶薄膜光电极的工业化生产制备。 |
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