| 专利名称 | 一种用于离子中性化的网板结构 | 申请号 | CN201110289007.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102332385A | 公开（授权）日 | 2012.01.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 席峰;李勇滔;李楠;张庆钊;夏洋 | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J37/32(2006.01)I;H01J37/02(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于离子中性化的网板结构 至一种用于离子中性化的网板结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于离子中性化的网板结构，属于中性离子刻蚀技术领域。所述网板结构包括上网板和中性化网板，中性化网板上设置有多个网孔，中性化网板横截面的上下表面不同区域的厚度分布形式不同。本发明通过改变中性化网板的厚度分布，来调节芯片上方不同区域中性粒子与离子的流量比例，改变中性粒子束的密度分布，从而调节刻蚀结果的均匀性。 |
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