| 专利名称 | 半导体器件结构及其制造方法 | 申请号 | CN201010230771.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102332431A | 公开（授权）日 | 2012.01.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎 | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件结构及其制造方法 至半导体器件结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出一种半导体器件结构及其制造方法，涉及半导体制造领域。该方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅电极线；在所述栅电极线外侧形成侧墙；在所述栅电极线两侧的半导体衬底上形成源/漏区；在所述栅电极线或源/漏区上形成接触孔；其中，在所述侧墙形成后至所述半导体器件结构的前道工艺完成之前，将所述栅电极线进行切割以形成电隔离的栅电极。本发明的实施例适用于集成电路制造。 |
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