| 专利名称 | 大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法 | 申请号 | CN201110283050.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102324436A | 公开（授权）日 | 2012.01.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 张雨溦;张杨;曾一平 | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 专利有效期 | 大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法 至大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管，包括：一衬底；一复合缓冲层，生长在衬底上；一插入层，生长在复合缓冲层上；一AlSb隔离层，生长在插入层上；一子沟道层，生长在AlSb隔离层上；一锑化物下势垒层，生长在子沟道层上；一InAs沟道层，生长在锑化物下势垒层上；一锑化物隔离层，生长在InAs沟道层上；一掺杂层，生长在锑化物隔离层上，该掺杂层是Si平面掺杂的InAs，或者是Te的δ掺杂；一上势垒层，生长在掺杂层上，该上势垒层是由AlSb层和InAlAs层组成的复合势垒层；一InAs帽层，生长在上势垒层上，该InAs帽层是非有意掺杂的InAs，或者是n型掺杂的InAs。 |
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