| 专利名称 | 利用激光双光子直写技术制作微纳结构器件的方法 | 申请号 | CN201110185710.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102320553A | 公开（授权）日 | 2012.01.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 段宣明;陈述;曹洪忠;韩伟华;颜伟;张严波;董贤子;杨富华;赵震声 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B23K26/36(2006.01)I | 专利有效期 | 利用激光双光子直写技术制作微纳结构器件的方法 至利用激光双光子直写技术制作微纳结构器件的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种利用激光双光子直写技术制作微纳结构器件的方法。该方法包括以下步骤：在衬底上涂敷光刻胶形成光刻胶层；用激光束照射所述光刻胶，通过激光双光子吸收效应对所述光刻胶的指定位置进行曝光；对所述光刻胶进行显影；将所得到的光刻胶层的图形转移到衬底上。 |
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