| 专利名称 | 低横向发散角布拉格反射波导边发射半导体激光器 | 申请号 | CN201110272765.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102324696A | 公开（授权）日 | 2012.01.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 汪丽杰;佟存柱;王立军;曾玉刚;刘云;张俊 | 主分类号 | H01S5/22(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/22(2006.01)I | 专利有效期 | 低横向发散角布拉格反射波导边发射半导体激光器 至低横向发散角布拉格反射波导边发射半导体激光器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种低横向发散角布拉格反射波导边发射半导体激光器，这种激光器的P面电极放置在盖层的顶面上，并且电连接到盖层，N面电极位于衬底的背面，并且电连接到衬底；中心腔位于下波导层与上波导层之间，有源区插入在中心腔内；所述下波导层采用多层N型掺杂的高、低折射率材料周期分布的布拉格反射波导；上波导层采用多层P型掺杂的高、低折射率材料周期分布的布拉格反射波导。本发明可有效改善传统边发射半导体激光器端面灾变性毁坏、烧孔、电热烧毁和光束成丝等效应，并且基模与高阶模之间大的增益损耗差异使得这种激光器可实现大模式体积、稳定单横模工作，其横向远场发散角半高全宽(FWHM)可达到10°以下。 |
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