双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅

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专利名称 双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅 申请号 CN200710119199.X 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN101350371 公开(授权)日 2009.01.21 申请(专利权)人 中国科学院半导体研究所 发明(设计)人 郑婉华;王科;任刚;杜晓宇;邢名欣;陈良惠 主分类号 H01L31/0232(2006.01)I IPC主分类号 H01L31/0232(2006.01)I;G02F1/35(2006.01)I;G02B5/18(2006.01)I 专利有效期 双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅 至双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明涉及半导体光电子器件技术领域,公开了一种双色红外量子阱 探测器顶部的光子晶体光栅,该光子晶体光栅包括一二维光子晶体结构和 一金属盖层;其中,所述二维光子晶体结构采用在双色半导体量子阱探测 器顶部半导体材料上刻蚀的圆形孔或椭圆形孔,且孔内填充与顶部金属盖 层相同的材料;所述金属盖层覆盖在所述二维光子晶体结构上。利用本发 明,简化了红外焦平面的制作工艺,提高了对两种波段的耦合效率。

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