| 专利名称 | 利用均匀纳米粒子点阵掩模提高厚膜GaN质量的方法 | 申请号 | CN200810042459.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101350298 | 公开（授权）日 | 2009.01.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王新中;于广辉;林朝通;曹明霞;巩航;齐鸣;李爱珍 | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/205(2006.01)I | 专利有效期 | 利用均匀纳米粒子点阵掩模提高厚膜GaN质量的方法 至利用均匀纳米粒子点阵掩模提高厚膜GaN质量的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种利用均匀纳米粒子点阵提高厚膜GaN质量的方法，其特 征在于采用了纳米量级的SiO2、SiO或SixNy等点阵作为GaN外延掩模。在氢 化物气相外延之前，先在GaN模板上电子束蒸发一层金属Al，再采用电化学 的方法生成多孔状阳极氧化铝(AAO)，接着往孔中注入点阵结构的介质，然 后去除AAO，则模板上得到了均匀分布的SiO2纳米粒子的点阵结构，最后将 模板置于反应腔内外延生长。由于气相外延的选择性，将开始选择生长在SiO2 等点阵外的区域上，最后经过横向外延生长过程连接成完整的GaN膜。降低 了外延层的位错密度，且位错密度均匀分布，大大提高厚膜的可利用性。方 法简单易行，省略了光刻的复杂工艺，且将掩模尺寸缩小到纳米量级，适于批 量生产。 |
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