| 专利名称 | 高抗氧化性、高纯、单／双壁碳纳米管的可控制备方法 | 申请号 | CN201110253414.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102320593A | 公开（授权）日 | 2012.01.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 侯鹏翔;于冰;刘畅;成会明 | 主分类号 | C01B31/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 高抗氧化性、高纯、单／双壁碳纳米管的可控制备方法 至高抗氧化性、高纯、单／双壁碳纳米管的可控制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及高抗氧化性单/双壁碳纳米管的可控制备领域，具体为一种高抗氧化性、高纯、单/双壁碳纳米管的可控制备方法。利用浮动催化剂化学气相沉积法，以二茂铁为催化剂前驱体、硫粉为生长促进剂、在较高温度下通入碳源气体，在高的氢气载气流量下，生长出高抗氧化性碳纳米管，同时通过调控加入硫生长促进剂的量，实现单壁或双壁碳纳米管的控制生长，获得高纯、高抗氧化性单/双壁碳纳米管，单壁或双壁碳纳米管占总碳管含量的90％以上，单壁和双壁碳纳米管的最高抗氧化温度分别为770℃和785℃。本发明获得结晶度高、结构缺陷少、纯度高的单/双壁碳纳米管，具有优异的导电性、高弹性、高强度等特性，可望在透明导电薄膜及其相关器件上获得应用。 |
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