| 专利名称 | 一种无损、无污染的纳米碳质薄膜的图形化方法 | 申请号 | CN201110187013.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102867740A | 公开（授权）日 | 2013.01.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 杜金红;苏阳;马来鹏;裴嵩峰;刘文彬;刘畅;成会明 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种无损、无污染的纳米碳质薄膜的图形化方法 至一种无损、无污染的纳米碳质薄膜的图形化方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种无损、无污染的纳米碳质薄膜的图形化方法，属于电子器件制备领域。该方法预先在基体材料上制备单、双层金属或金属担载陶瓷薄膜的图形，然后在该预图形化的基体上沉积纳米碳质薄膜，最后利用湿法刻蚀去除预制的单层金属图形直接剥离附着在其表面的纳米碳质薄膜，或通过底层金属的刻蚀在剥离其担载的金属或陶瓷薄膜的同时去除附着于预制图形表面的纳米碳质材料，保留与基体直接接触的薄膜形成相应的图形，从而实现了纳米碳质薄膜的图形化。由于工艺中碳质薄膜与光刻胶及等离子体无直接接触，从而避免了对所制备图形的污染和损伤。图形化的碳质薄膜可用于显示器透明电极、薄膜场效应晶体管等。 |
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