专利名称 | 一种增强半导体金属层可靠性的版图生成方法及系统 | 申请号 | CN201210359731.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN102867096A | 公开(授权)日 | 2013.01.09 | 申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 尹明会;陈岚;赵劼 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | 一种增强半导体金属层可靠性的版图生成方法及系统 至一种增强半导体金属层可靠性的版图生成方法及系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种增强半导体金属层可靠性的版图生成方法及系统。其中,方法包括:接收大面积金属及金属孔的尺寸数据,以及金属孔的行间距、列间距数据;根据大面积金属及金属孔的尺寸数据,以及金属孔的行间距、列间距数据,确定金属孔的行数和列数;根据金属孔的行数和列数,以及大面积金属及金属孔的尺寸数据,获得金属孔的行间距修正值及列间距修正值,修正金属孔的行间距、列间距数据;根据大面积金属及金属孔的尺寸数据,以及金属孔的行间距修正值及列间距修正值,生成金属打孔模板;按照金属打孔模板对大面积金属进行打孔。本发明能够克服金属打孔过程中产生的电流分布不均等问题。 |
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