| 专利名称 | 一种环形磁控溅射装置 | 申请号 | CN201210375207.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102864426A | 公开（授权）日 | 2013.01.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 刘星元;林杰;李会斌 | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 专利有效期 | 一种环形磁控溅射装置 至一种环形磁控溅射装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种环形磁控溅射装置，属于真空镀膜领域。目的在于解决现有技术中短部磁场不被作为工作有效区的问题，提高靶材的利用率。本发明的磁控溅射装置还包括内充气管、压靶材条、靶体以及内屏蔽板；内磁钢、外磁钢、极靴组装在靶体上，靶体上面有靶基，靶基上有内外两圈压靶材条，靶材条位于靶基上，他们的组装体外设有外屏蔽板，所述内屏蔽板上部、内磁钢之外有内充气管，所述外磁钢及所述内磁钢与所述极靴组成一个环形的磁场。所述内磁钢为环状矩形磁钢，加长短部溅射区域，使短部区域的溅射也可作为工作的有效区域，提高了靶材的利用率，降低生产成本；此装置中间有一长形的孔，在其中装有内屏蔽板，再通过这一长形的孔装入内充气管，使起弧容易。 |
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