一种低场高弛豫率MRI造影剂及其制备方法与应用

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专利名称 一种低场高弛豫率MRI造影剂及其制备方法与应用 申请号 CN201110221384.6 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN102319443A 公开(授权)日 2012.01.18 申请(专利权)人 中国科学院化学研究所 发明(设计)人 舒春英;甄明明;王春儒;郑俊鹏 主分类号 A61K49/06(2006.01)I IPC主分类号 A61K49/06(2006.01)I 专利有效期 一种低场高弛豫率MRI造影剂及其制备方法与应用 至一种低场高弛豫率MRI造影剂及其制备方法与应用 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明公开了一种适用于低场磁共振成像的高效MRI大分子造影剂及其制备方法与应用。所述MRI大分子造影剂可按照包括下述步骤的方法制备:a)将富勒烯羧酸衍生物溶于MES缓冲液中,加入EDC和NHS,室温下反应,得到富勒烯羧酸活性酯溶液;b)将Gd-DTPA-HSA加入到所述富勒烯羧酸活性酯溶液中搅拌反应,即得到所述的MRI造影剂。该Gd-DTPA-HSA-fullerene大分子造影剂在低场(0.5T)条件下弛豫效率显著提高,可在减少造影剂的使用剂量条件下得到明显的组织对比度;更为重要的是将其作为一种MRI分子探针,可以用于探索纳米材料(如功能化富勒烯衍生物)的体内分布代谢行为。

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