| 专利名称 | 一种弛豫SiGe虚拟衬底及其制备方法 | 申请号 | CN201010214666.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102315246A | 公开（授权）日 | 2012.01.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 刘学超;陈之战;施尔畏 | 主分类号 | H01L29/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/00(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/167(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 专利有效期 | 一种弛豫SiGe虚拟衬底及其制备方法 至一种弛豫SiGe虚拟衬底及其制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种弛豫高锗含量的SiGe虚拟衬底及其制备方法。该SiGe虚拟衬底包括Si衬底、在Si衬底上由内而外依次外延生长的Ge晶籽层、Ge缓冲层、组份渐变的SiGe缓冲层和组分恒定的SiGe层；所述Ge晶籽层和所述Ge缓冲层组成Ge驰豫缓冲层。该SiGe虚拟衬底具有高Ge含量、完全弛豫、位错密度低、厚度薄、表面平整等特性。该SiGe虚拟衬底的制备方法为采用减压化学气相沉积法在Si衬底上依次生长各外延层。本发明所制备的弛豫高锗含量的SiGe虚拟衬底，可广泛应用于CMOS工艺中Ge沟道应变工程和高迁移率沟道材料制备上，进一步提高CMOS器件的性能。 |
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