| 专利名称 | 半导体器件及其制作方法 | 申请号 | CN201010227268.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102315271A | 公开（授权）日 | 2012.01.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制作方法 至半导体器件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件形成于半导体衬底上，所述半导体器件包括：栅极、源区、漏区和体接触区，其中，半导体衬底包括有源区，该有源区包括位于栅极内侧的第一区，位于栅极外侧、与栅极相邻的第二区，以及与第二区相接的第三区，所述漏区分布于所述第一区中，所述源区分布于所述第二区中，以及所述体接触区分布于第三区中。 |
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