| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201010223470.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102315265A | 公开（授权）日 | 2012.01.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该器件包括：SOI衬底；半导体鳍片，形成于SOI衬底上，鳍片包括立于SOI衬底表面相对的第一侧面和第二侧面，第二侧面相对于第一侧面的中间位置具有凹槽，凹槽背离第一侧面开口；沟道区，形成于鳍片上第一侧面与第二侧面的凹槽之间；源区和漏区，形成于鳍片上沟道区的两侧；栅堆叠，与鳍片的第一侧面邻接形成在SOI衬底上；其中，栅堆叠包括：第一栅介质层，背离第一侧面且与沟道区邻接形成；第一导体层，背离第一侧面且与第一栅介质层邻接形成；第二栅介质层，背离第一侧面且与第一导体层的侧面邻接形成；第二导体层，背离第一侧面与第二栅介质层的侧面邻接形成。本发明的实施例适用于FinFET的制造。 |
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