| 专利名称 | 一种Al掺杂的氧化锌透明导电薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201010214412.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102312201A | 公开（授权）日 | 2012.01.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 刘学超;陈之战;宋力昕;施尔畏 | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I | 专利有效期 | 一种Al掺杂的氧化锌透明导电薄膜的制备方法 至一种Al掺杂的氧化锌透明导电薄膜的制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明属于透明导电薄膜领域，涉及Al掺杂的ZnO透明导电薄膜的制备方法，尤其涉及电感耦合等离子体增强物理气相沉积法(ICP-PVD)。该ICP-PVD法先制备Zn1-xAlxO(0.01≤x≤0.05)靶材；将清洁干燥衬底放入ICP-PVD系统中，控制ICP-PVD系统各工艺参数进行薄膜沉积得到Al掺杂的ZnO透明导电薄膜。该方法设备简单、易操作、可实现大面积、规模化的镀膜生产。该ICP-PVD系统与传统薄膜设备相比对等离子体中各种带电粒子起到约束和加速作用，从而提高了薄膜的结晶质量、施主掺杂的可控性，易得电阻率低、透过率高、重复性和稳定性好的ZnO薄膜，该薄膜可应用于光电子器件中。 |
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