| 专利名称 | 一种制备单晶空心NiO八面体的方法 | 申请号 | CN200710119323.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101348942 | 公开（授权）日 | 2009.01.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院过程工程研究所 | 发明（设计）人 | 袁方利;王熙;余凌杰;胡鹏;范俊梅;黄淑兰;李晋林 | 主分类号 | C30B29/66(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/66(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备单晶空心NiO八面体的方法 至一种制备单晶空心NiO八面体的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种制备空心单晶NiO八面体的方法。以胶体碳为模板，表面吸 附金属阳离子化合物，吸附后的胶体碳干燥后，在空气中加热使碳模板除去，得 到均匀的单晶空心NiO八面体。通过调节碳模板的颗粒大小和表面官能团，可以 调节获得的单晶空心NiO八面体的颗粒大小。该方法还可用于制备其它氧化物空 心多面体颗粒。 |
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