一种Si-C-O微纳米多孔陶瓷及其制备方法

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专利名称 一种Si-C-O微纳米多孔陶瓷及其制备方法 申请号 CN201110219908.8 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN102311276A 公开(授权)日 2012.01.11 申请(专利权)人 中国科学院化学研究所 发明(设计)人 李永明;王丁;徐彩虹;吴纪全;王秀军;陈丽敏 主分类号 C04B38/00(2006.01)I IPC主分类号 C04B38/00(2006.01)I 专利有效期 一种Si-C-O微纳米多孔陶瓷及其制备方法 至一种Si-C-O微纳米多孔陶瓷及其制备方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明提供了一种Si-C-O微纳米多孔材料及其制备方法。该方法包括如下步骤:(1)有机硅聚合物、催化剂和溶剂进行混合得到混合物,将所述混合物进行加热固化成型得到凝胶固体;(2)将所述凝胶固体升温至400℃-850℃进行热解得到有机树脂基、半有机半无机或准无机基的微纳米多孔材料;(3)将所述有机树脂基、半有机半无机或准无机基的微纳米多孔材料升温至850℃-1500℃进行热解即得所述Si-C-O微纳米多孔材料;所述有机硅聚合物为式(I)所示聚硅氧烷和有机硅树脂中至少一种。本发明的方法制备的微纳米多孔Si-C-O材料比氧化硅具有更高的耐温性能,比炭材料具有更高的耐热氧化性能。

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