| 专利名称 | 一种提高真空等离子体喷涂钨涂层结合强度的方法 | 申请号 | CN201010216477.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102312186A | 公开（授权）日 | 2012.01.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 牛亚然;郑学斌;季珩;黄利平;丁传贤 | 主分类号 | C23C4/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C4/12(2006.01)I;C23C4/08(2006.01)I;B32B15/01(2006.01)I | 专利有效期 | 一种提高真空等离子体喷涂钨涂层结合强度的方法 至一种提高真空等离子体喷涂钨涂层结合强度的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于涂层材料领域，具体涉及一种提高真空等离子体喷涂钨涂层结合强度的方法。本发明中的方法为采用Cu-Mo复合涂层作为W涂层与铜合金基材间的中间层，且所述中间层的厚度为50-200μm。利用本发明提供的方法，通过工艺参数的控制可使制备的W涂层与铜合金基材间的结合强度达到40MPa以上，同时含中间层的涂层具有结构均匀、热导率高、工艺制备过程简单的特点。 |
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