| 专利名称 | 一种场限环结构 | 申请号 | CN201120209191.4 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202111097U | 公开（授权）日 | 2012.01.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 田晓丽;朱阳军;吴振兴;张彦飞;卢烁今 | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L23/62(2006.01)I | 专利有效期 | 一种场限环结构 至一种场限环结构 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种场限环结构，包括第一导电类型的衬底、衬底内的第二导电类型的主结区以及第二导电类型的场限环，z轴方向为主结区及场限环的长度方向，其特征在于，在主结区与相邻场限环之间以及各相邻场限环之间的衬底内、沿z轴方向上形成有PIN结构。通过形成具有PIN结构的场限环结构，使得场限环之间的电场分布形状呈矩形，矩形的电场分布降低了电场峰尖，大大提高了相邻场限环承受的电压，实现了在相对较小的终端面积下具有较高的击穿电压，同时PIN结构难于形成反型层或积累层，可以屏蔽界面电荷的影响，改善电场分布，保证击穿电压的同时提高了可靠性。 |
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