| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201010223868.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102315268A | 公开（授权）日 | 2012.01.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底；鳍片，位于所述衬底上，所述鳍片具有相对分布的一对第一侧面和一对第二侧面，所述第一侧面和第二侧面相邻；以及一对栅极区，位于所述衬底上并且分别与所述鳍片的第一侧面相邻接；其中，所述鳍片包括：一对沟道区，位于所述鳍片中并且与所述栅极区相邻地分布，源/漏区，与所述沟道区和鳍片的第二侧面相接，以及晕圈超陡倒退阱区，其被所述沟道区和源/漏区所环绕。该半导体器件同时具备FinFET器件及平面MOSFET器件的优点，即，既能有效控制短沟道效应，又能减小寄生电阻和寄生电容。 |
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