| 专利名称 | 一种用于黑硅的宽波段范围减反射方法 | 申请号 | CN201210350141.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102881769A | 公开（授权）日 | 2013.01.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 王燕;刘尧平;叶大千;梅增霞;杜小龙 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于黑硅的宽波段范围减反射方法 至一种用于黑硅的宽波段范围减反射方法 | 法律状态 | 专利实施许可合同备案的生效、变更及注销 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种用于黑硅的宽波段减反射方法，包括以下步骤：1）在黑硅表面上制备一层中间层，其中所述黑硅为具有陷光结构的硅；2）在步骤1）得到的中间层上沉积金属纳米颗粒，该金属纳米颗粒为不连续的或互不接触；3）对步骤2）得到的产物进行退火处理。该方法操作简单，成本低廉，该方法有效地结合黑硅技术、表面隔离保护技术及表面等离子体技术，实现了宽波段范围内的减反射效果，有利于应用在太阳能电池的工业化生产上。 |
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